2022年初科创板上市，号称“充电桩芯片第一股”的东微半导（688261），在过去几年穿越一轮功率半导体牛熊周期后股票配资策略，其股价已经从最高位的179.27元跌至如今的38.63元，跌幅近八成！
01
功率半导体下行周期，公司竞争颓势尽显
东微半导成立于2008年，作为功率半导体Fabless厂商，公司业务涵盖高压超级结MOSFET以及中低压屏蔽栅MOSFET产品等，广泛应用于5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、车载充电机、UPS电源和工业照明电源、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变及储能等工业级与汽车级领域。
图表：东微半导业务及下游应用分布
受益于过去几年全球及国内的光伏、储能、新能源汽车产业高歌猛进，同时叠加疫情引发的“缺芯潮”带来行业供需错配，公司产品在2020年至2022年期间价升量涨，业绩也水涨船高。数据显示，2022年公司营业收入达到11.16亿元，净利润2.84亿元，分别同比增长42.72%、93.57%，均创下公司的历史新高。基于优秀的业绩表现，公司成功于2022年初完成科创板上市。
图表：东微半导近5年营收及利润表现
然而，进入2023年以后，因功率半导体海外龙头厂商加大中国市场竞争力度、以及国内前两年晶圆厂疯狂扩产导致行业供过于求，半导体行业进入下行周期，产品价格呈现明显下降趋势。
受行业周期的影响，2023年公司营业收入9.73亿元，同比减少12.86%。具体到各项业务表现，主导产品高压超级结MOSFET产品、中低压屏蔽栅MOSFET产品分别减少了11.87%、17.72%。至2024年，公司外部环境仍未好转，受全球经济增长的不确定性以及竞争加剧等多重因素的影响，公司收入仍未有明显改善，小幅增长3.12%至10.03亿元。
考虑外部因素，公司这两年的收入表现也算差强人意，但利润表现则是惨不忍睹。数据显示，2023年公司净利润跌幅超50%至1.4亿元，2024年再跌超70%仅剩4023.51万元。
利润跌幅明显高于收入跌幅的背后，最直接的动因是竞争力不足导致的毛利率滑坡。对比可知，相较于同为MOSFET厂商的竞争对手华润微、士兰微、新洁能、扬杰科技、*ST华微而言，公司过去几年的毛利率水平普遍低于可比公司的平均水平。且自2023年开始，东微半导的毛利率开启了断崖式下跌，自2022年33.96%高位一路跌至2023年、2024年的22.73%、14.29%。并且，从公司2025年一季报数据看，公司的毛利率表现仍尚未企稳。
图表：东微半导与可比公司的毛利率对比
而同时期，竞争对手的毛利率水平却能够维持相对的稳健，这背后的巨大差距最直观反映了东微半导在行业内综合竞争力的弱势、以及抗风险能力的不足。
此外，周期下行、竞争力不足给公司带来的负面影响是全方面的。年报数据显示，过去几年，公司的存货周转效率明显降低，存货周转天数自2021年的56.31天增加至2024年的146.74天，延长了近两倍。周转效率低下，也直接导致了公司的存货积压从而计提大额减值。数据显示，2024年公司因计提存货跌价准备形成资产减值损失2209.56万元，侵蚀了公司本就不多的利润。
并且，公司的经营性现金流也遭受冲击。2024年公司回款周期拉长，当年收到客户的销售回款明显减少，公司的经营活动产生的现金流量净额由2023年的7054.72万元转为-8831.32万元。账期拉长也导致公司应收账款计提信用减值损失，加重了利润负担。
往后看，AI时代已然到来，将持续带动逻辑芯片与存储芯片的需求增长，但功率半导体的行业周期反转何时出现仍然存在不确定性。且除开外部因素，公司自身盈利能力不足导致毛利率水平偏低也是制约公司未来发展的关键一环。
02
新业务培育恐难成气候
周期下行、产品价格下跌，公司主导产品高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET的收入表现首当其冲。
除两大主业以外，公司自上市以来也在持续保持研发投入，积极扩充技术人才队伍，丰富产品品类与产品规格，尝试打造第二成长曲线。
2019年，公司8英寸超级硅MOSFET开始形成收入；2021年，公司8英寸Tri-gateIGBT产品首次量产出货，全年实现营业收入568.17万元；2022年，公司于2021年7月立项的第三代半导体SiC器件（含Si2CMOSFET）首次实现营业收入。
新产品研发与落地节奏看似有条不紊，然而深入拆分各项业务对于公司近几年收入贡献的占比能够发现，东微半导的新业务培育之路并不顺畅。
年报数据显示，2021年至2024年，公司两大主业高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET合计收入占比稳定维持在近乎96%以上，这意味着培育了数年的新业务超级硅MOSFET、Tri-gateIGBT、SiC器件能够贡献的收入比重合计仅4%左右，对于公司整体业绩的影响微乎其微。
图表：东微半导产品结构
而再往后看，东微半导的新业务同样前途未卜。
以过去两年爆火的SiC市场为例，由于新能源汽车800V高压快充平台的迅速普及，SiCMOSFET宽禁带材料因其耐高压、耐高温特性，在汽车电控市场中逐步呈现替代硅基IGBT模块的趋势。根据Yole发布的市场研究报告称，预计2029年SiC功率器件市场规模将达到100亿美元。
市场需求的火热，自然带动了一众厂商的产能扩充热潮。从行业整体竞争格局来看，美国、欧洲和日本企业当前仍然是SiC行业的领先者，相关厂商包括英飞凌、意法半导体、安森美、罗姆等，这些公司都在加紧升级工艺，提高产能及生产率，以抢占市场先机。
然而，近日美国SiC衬底龙头厂商Wolfspeed却爆出因65亿美元债务压顶、市场需求疲软及中国竞争加剧，从而宣布将申请破产保护的消息，引发行业震动。
破产背后的原因，市场归结为以下几个方面：首先是Wolfspeed公司豪赌8英寸产能扩张，导致业绩承压，利润亏损成为常态；其次是SiC的需求端主要来自于我国新能源汽车市场，然而中美贸易摩擦升级，关税税率提高，直接推高了Wolfspeed的原材料成本，更将其排除在全球最大SiC需求市场之外；再者，Wolfspeed还面临着来自中国等地区碳化硅衬底制造商的激烈竞争，其市场份额和盈利能力受到挤压。当前，中国头部SiC企业如天岳先进（市占率约21%）、天科合达（市占率约17.3%）6英寸量产良率突破80%、8英寸产线投产在即，天岳先进已通过特斯拉、比亚迪认证，未来全球市场份额或有望进一步提升至30%以上，将直接威胁到国际大厂的行业地位。并且，三安光电、斯达半导等企业逐步构建起了SiC的IDM模式，覆盖衬底、外延、芯片全链条，成本较美企低20%-30%。比亚迪半导体更以“量产一代、储备一代”策略，加速技术迭代，来势汹汹。
此外，还有一个重要的原因，随着国内外SiC衬底产能的快速扩张，行业产能过剩局面已然显现。行业机构预计，2025年SiC市场过剩可能超40%，将导致恶性的价格竞争。例如，6英寸衬底价格已从1000美元/片暴跌至400美元，这也直接导致Wolfspeed等企业面临“增产不增收不增利”的困境。
尽管Wolfspeed的破产股票配资策略，有望向全市场腾挪出超过30%的市场份额，但对于2023年SiC收入仅不足100万的行业新人东微半导而言，其既不具备技术积累的优势，且Fabless业务模式也注定了其没有产能优势，在产能为王的SiC赛道，未来其SiC业务开拓之路或举步维艰。
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